与此相比,比利时IMEC的目的则在于利用硅纳米线的量子效应.在2009年11月9日于东京举行的"IMECExecutiveSeminar"上,IMEC光伏业务总监JefPoortmans介绍了硅纳米线太阳能电池的开发现状.

　　　IMEC的目标是实现在硅底板上形成硅纳米线的太阳能电池.硅底板的带隙为1.1eV,而利用量子效应的硅纳米线为1.7～1.8eV.组合带隙不同的硅底板和硅纳米线,可期待提高效率.Poortmans表示:"如果这一设想能够实现,转换效率将达到约33%".

　　　目前,IMEC正在尝试试制适于太阳能电池的硅纳米线.要实现1.7～1.8eV的带隙,硅纳米线的直径需要降至2～4nm.为形成这种极细的硅纳米线,IMEC采用了为制造新一代半导体而开发的EUV曝光.

　　　不过,即使采用EUV曝光和蚀刻,也只能形成直径为40～65nm的硅纳米线.因此,对直径为40～65nm的硅纳米线进行氧化之后,利用HF气体去除氧化部分使其进一步变细.目前,利用这种方法获得了直径为8～25nm左右的硅纳米线.作为其他目标的硅纳米线间距(90nm)和长度(500nm)在EUV曝光和蚀刻时得以实现.

　　　今后将利用EUV曝光和蚀刻将直径减至30nm,然后利用氧化和HF气体将直径减至3nm.获得适用于太阳能电池的直径3nm硅纳米线之后,将进一步确认太阳能电池的特性.

　　　为了利用量子效应实现硅纳米线,不仅要对线进行微细化,还要开发取代EUV曝光的低成本制造方法.对于研制下下代太阳能电池,还需要进一步的技术创新.